当今极快的5G和AI应用，越来越需要更快速度的存储芯片去突破数据瓶颈。美光表示，Micron的LPDDR5 DRAM将使5G智能手机具有6.4 Gbps的峰值处理能力，同时将电源效率提高20％。提供6 GB，8 GB和12 GB版本，数据速度分别为5.5 Gbps和6.4 Gbps。
美光公司声称，其新的LPDDR5芯片是当今世界上第一个批量生产的低功耗DDR5。该公司已向小米装运了许多设备，并将这些设备合并到即将面世的小米Mi 10中。
美光公司副总裁兼移动业务部门总经理Raj Talluri博士表示：“美光公司在提供业界首款用于智能手机的低功耗DDR5 DRAM方面的领导地位将加速5G和AI应用的实现。”
他继续指出：“我们的客户和合作伙伴需要基于新的处理技术的下一代内存解决方案，这些解决方案必须驱动出色的功能和性能以支持5G和AI系统。美光的LPDDR5 DRAM与前几代产品相比，数据访问速度提高了50％，功率效率提高了20％以上，从而满足了这些要求。”
小米集团副总裁常成认为，美光的新款LPDDR5“将成为2020年所有旗舰设备的标准配置。”
LPDDR5技术，LPDDRAM代表低功耗，双倍数据速率，同步动态随机存取存储器。
美光的LPDDR5以及较早的LPDDR2和LPDDR4版本提供-40℃至+ 125℃的特殊温度范围，直接针对汽车应用。
Memory具体细节差异很大，但是可以肯定地说，DDR5的速度和内存密度大约是DDR4的两倍。 另外，将大大节省功率。
每秒兆传输量（MT / s）是要记住的重要定义。 如果在一个时钟周期内两次进行内存传输，则500 MHz时钟将导致1000 MT / s。 LPDDR5的时钟频率为3.2 GHz，可实现6.4 Gpbs的峰值处理。
根据美光的产品资料，LPDDR5的密度高达128 Gb。 一块芯片中包含的大量内存意味着可以节省电路板空间。 x64 LPDDR5的当前配置是四个16位通道。根据美光的产品目录，现在还提供LPDDR生产版本，深度范围从48 GB到96 GB。 例如，MT62F1536M64D8CH-031 WT的密度为96 Gb。 深度为1.536 Gb，宽度为x64。省电，为了节省功率，美光的LPDDR5可以在0.5 V的内核电压下工作。
其他节电功能包括部分阵列自刷新（PASR），该功能通过仅刷新关键数据来节省功耗。 深度掉电（DPD）是一种超低功耗模式，可在不需要保留数据时使用。
PoP封装允许LPDDR堆叠在处理器顶部，以节省电路板空间。 这些单元也可提供JEDEC标准的细间距球栅阵列（FBGA）球形输出。
预计在2020年上半年，美光的LPDDR5将采用基于通用闪存（UFS）的多芯片封装。 UFS技术可实现更快的速度和更低的功耗。
三星声称，与LPDDR4相比，其LPDDR5的速度也达到了6.4 Gbps，功耗降低了45％。
来源：ALL ABOUT CIRCUITS、电子元器件采购网