MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI)
XPN9R614MC
应用：汽车、开关稳压器、DC-DC 转换器、电机驱动器
特点
(1) AEC-Q101 认证标准
(2) 小而薄的封装
(3) 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 7.4 mΩ（典型值）（VGS = -10 V）
(4) 低漏电流：IDSS = -10 µA（最大值）（VDS = -40 V）
(5) 增强模式：Vth = -1.0 至 -2.1 V（VDS = -10 V，ID = -0.5 mA）
绝对最大额定值：
| 项目 | 符号 | 值 | 单位 |
| Drain-Source voltage | VDSS | -40 | V |
| Gate-Source voltage | VGSS | +10/-20 | V |
| Drain current | ID | -40 | A |
| Power Dissipation | PD | 100 | W |
电气特性：
| 项目 | 符号 | 条件 | 值 | 单位 |
| Gate threshold voltage (Max) | Vth |
| -2.1 | V |
| Drain-Source on-resistance (Max) | RDS(ON) | |VGS|=10V | 9.6 | mΩ |
| Drain-Source on-resistance (Max) | RDS(ON) | |VGS|=4.5V | 13.4 | mΩ |
| Input capacitance (Typ.) | Ciss |
| 3000 | pF |
| Total gate charge (Typ.) | Qg | VGS=-10V | 64 | nC |