东芝基于其U-MOSX-H工艺推出了两个80V N沟道功率MOSFET。TPH2R408QM和TPN19008QM，适用于低损耗要求的电源应用，包括数据中心和通信基站以及电机驱动设备中的AC-DC和DC-DC转换。与早期工艺中的相应80V产品（例如U-MOSVIII-H）相比，TPH2R408QM和TPN19008QM的漏源导通电阻（RDS（ON））均降低了约40％。
TPN19008QM的RDS（ON）值为19mΩ（MAX），而TPH2R408QM值为2.43mΩ。
该公司表示，已经优化了器件结构，将RDS（ON）和栅极电荷特性之间的权衡提高了15％，并将RDS（ON）和输出电荷之间的权衡了31％。
MOSFET采用表面贴装封装，额定漏源电压为80V。它们可在高达175ºC的通道温度下工作。TPN19008QM的额定漏极电流为34A，并采用3.3×3.3mm TSON封装，而TPH2R408QM的额定电流为120A，并采用5x6mm SOP封装。
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